Super praktické tipy: Požadavky na kontrolu a metody elektronických součástek----Polovodičová zařízení (2-Co je to trioda 2）

https://www.kaichuanpower.com/

Elektronka s efektem pole: Elektronka s efektem pole MOS je elektronka s efektem pole kov-oxid-polovodič, anglická zkratka je MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor), což je typ s izolovaným hradlem.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT nabývá různých hodnot, vodivost inverzní vrstvy se změní a pod stejným VDS budou generovány různé IDS, realizující řízení napětí hradlo-zdroj VGS na proudu IDS zdroj-odvod.
Klasifikace efektu pole: Tranzistory s efektem pole zahrnují hlavně tranzistory s efektem pole (JFET) a tranzistory s izolovaným hradlem (IGFET). Substrát (B) izolovaného hradlového tranzistoru s efektem pole je připojen ke zdroji (S). Jeho tři póly jsou brána (G), odtok (D) a zdroj (S). Tranzistory se dělí na tranzistory NPN a PNP a jejich tři póly jsou báze (b), kolektor (c) a emitor (e). Póly G, D a S tranzistoru s efektem pole mají podobnou funkci jako póly b, c a e tranzistoru. Rozdíl mezi izolovanými tranzistory s hradlovým efektem a přechodovými tranzistory s efektem pole je v tom, že jejich vodivé mechanismy a principy řízení proudu jsou zásadně odlišné. Trubky typu spojky využívají změnu šířky oblasti vyčerpání ke změně šířky vodivého kanálu za účelem řízení odtokového proudu. Tranzistory s efektem pole Insulation Gate využívají efekt elektrického pole na povrchu polovodiče a množství elektricky indukovaného náboje ke změně vodivého kanálu pro řízení proudu. Rozdíl v jejich vlastnostech znamená, že přechodové tranzistory s efektem pole se často používají ve vstupním stupni (předstupni) výkonových zesilovačů, zatímco tranzistory s izolovaným hradlovým polem se používají v koncovém stupni (výstupním stupni) výkonových zesilovačů. Princip činnosti tranzistoru s efektem pole je stejný jako u triody s tím rozdílem, že jeden z nich je napěťově řízená součástka a druhá je proudově řízená součástka. Tranzistor s efektem pole má pouze jeden PN přechod, jak je znázorněno na obrázku 1-1